8月9日，九峰山实验室发文称，他们的6吋SiC中试线于8月1日全面通线，实现了首批沟槽型SiC MOSFET器件晶圆下线。

据介绍，九峰山实验室已经形成了碳化硅沟槽器件制备的自主IP成套工艺技术能力，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。

实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

此外，该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

九峰山实验室首席运营官赵勇此前表示，九峰山实验室规划建设三条中试线，除了这次的6吋碳化硅中试线外，今年3月，其8英寸中试线正式通线运行，首批晶圆（高精密光栅）成功下线。预计今年10月份其4英寸中试线也将通线。

据悉，湖北九峰山实验室于2021年成立，实验室聚焦化合物半导体，主要涉及以下工艺领域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相关MEMS、特种先进封装和多材料集成。

九峰山实验室位于湖北武汉市东湖开发区，根据武汉日报的报道，东湖高新区将启动建设九峰山科技园，规划面积10平方公里，将建设碳化硅器件、氮化镓器件等量产线。

转自：半导体前沿；来源：行家说三代半等